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高通公司是世界率先的挪移芯片创造商。它的Snapdragon处理器以其高能量、低消耗和先进的技术被许多手机使用。800系列面向高端市场，700和600系列面向中端市场，Snapdragon 400系列面向低端市场。那么什么是高通Snapdragon处理器呢？

高通Snapdragon处理器排名

1.小龙855

2.小龙845

3.小龙730

4.小龙712

5.小龙710

1.小龙855

上市时间：2018年12月

创造工艺：7纳米

核心频率：2.84千兆赫

中央处理器架构：八核氪485

当作高通Snapdragon处理器2019年的第一处理器，Snapdragon 855采纳7纳米创造工艺，其核心频率达到2.84千兆赫，超过了上一代Snapdragon 845。它也是目前主流手机搭载的处理器，代表了小米9、一加7等。

2.小龙845

上市时间：2018年第一季度

创造工艺：10纳米FinFET

核心频率：2.8千兆赫

中央处理器架构：八核氪385

Snapdragon 845采纳了三星的10纳米工艺，连续了8核设计，并在内核上做了很好的升级。与上一代相比，其综合性能提高了20%左右，代表了三星S9、vivo iQOO Neo、小米8等。

3.小龙730

上市时间：2019年第二季度

创造工艺：8纳米

核心频率：2.21.8千兆赫

中央处理器架构：2个Kryo470和6个Kryo470

Snapdragon 730是2019年宣布的700系列处理器。它以8纳米的创造工艺超越了Snapdragon 845。Snapdragon 730在多核性能上低于Snapdragon 845，但在单核性能上需要超越。此外，在Snapdragon 730上有一个专门为游戏设计的Snapdragon 730g处理器，代表Redmi K20型号。

4.小龙712

上市时间：2019年第一季度

创造工艺：10纳米

核心频率：2.3 1.7千兆赫

中央处理器架构：2个A75内核和6个A55内核，1.7千兆赫

小龙712的上市时间早于小龙730，其生产流程为10纳米。枭龙712消耗的能量比枭龙845少，但枭龙712在奔跑能力上必须被枭龙84击败，代表了小米9 SE和枭龙712。

5.小龙710

上市时间：2018年第二季度

创造工艺：10纳米

核心频率：2.2 1.7千兆赫

中央处理器架构：双核Kryo 360黄金和六核Kryo 360白银

枭龙710是枭龙在中端市场的代表，其单核运行稳定性和速度都很好。虽然综合性能与小龙845相比仍有一定差距，但代表车型有小龙710、小米CC9和OPPO K3。

2019年高通Snapdragon处理器排名(按系列)

处理器型号

创造工艺

体系结构

核心频率

地面动力装置

上市时间

高通8cx处理器

7nm

八核Kryo 495

未知的

肾上腺素680

2018年12月17日

高通855处理器

7nm

Kryo 485八核

2.84千兆赫

肾上腺素640

2018年12月

高通850处理器

10纳米

Kryo 385八核

2.96千兆赫

肾上腺素630

2018年下半年

高通845处理器

10纳米FinFET

Kryo 385八核

2.8千兆赫

肾上腺素630

Q1 2018

高通835处理器

10纳米FinFET

四核Kryo 280四核Kryo 280

2.45 1.9千兆赫

肾上腺素540

Q1 2017

高通835计算机处理器

10纳米

Kryo 280八核

2.0-2.45千兆赫

肾上腺素530

2017年上半年

高通821处理器

14nm FinFET

双核氪星

2.34 2.19千兆赫

肾上腺素530 653兆赫

2016年第三季度

高通820处理器

14nm

四核Kryo

2.2千兆赫

肾上腺素530

2016年上半年

高通810处理器

20纳米HPM

四核A57四核A53

2.0 1.55千兆赫

肾上腺素430 650兆赫

2014年第三季度

高通808处理器

20纳米HPM

双核A57四核A53

2.0 1.44千兆赫

肾上腺素418 600兆赫

2014年第三季度

高通805处理器

28nm

四核Krait 450

2.7

肾上腺素420

2013年11月21日

高通801处理器

28海里HPM

四核Krait 400

2.45千兆赫

肾上腺素330 578兆赫

Q1/Q2 2014

高通800处理器

28海里HPM

四核Krait 400

2.26千兆赫

肾上腺素330 450兆赫

Q2 2013

高通730G处理器

8nm

2 Kryo470 6 Kryo470

2.2 1.8千兆赫

肾上腺素618

Q2，2019年

高通730处理器

8nm

2 Kryo470 6 Kryo470

2.2 1.8千兆赫

肾上腺素618

Q2，2019年

高通712处理器

10纳米

两个A75大内核和六个1.7千兆赫的A55小内核

2.3 1.7千兆赫

肾上腺素616

Q1 2019

高通710处理器

10纳米

双核Kryo 360金六核Kryo 360银

2.2 1.7千兆赫

肾上腺素616

Q2，2018年

高通675处理器

11毫米

2 Kryo460 6 Kryo460

2.0 1.7千兆赫

肾上腺素612

Q1 2019

高通670处理器

10纳米

四核Kryo 360四核Kryo 360

2.2 1.7千兆赫

肾上腺素616

2018年第三季度

高通665处理器

11毫米

4 Kryo260 4 Kryo260

2.0 1.8千兆赫

肾上腺素610

Q1 2019

高通660处理器

14nm

Kryo 260八核

1.95 ~ 2.2千兆赫

肾上腺素512

2017年5月

高通636处理器

14nm

Kryo 260八核

1.8 1.6千兆赫

肾上腺素509

Q1 2018

高通630处理器

14nm

八核A53

2.2

肾上腺素508

2017年5月9日

高通632处理器

14海里LPP

四核Kryo 250金四核Kryo 250银

1.8 1.8千兆赫

肾上腺素506

Q2，2018年

高通653处理器

28海里HPM

四核A72+四核A53

1.95 1.44千兆赫

肾上腺素510

2016年第4季度

高通652处理器

28海里HPM

四核A72+四核A53

1.8 1.4千兆赫

肾上腺素510

2015年第4季度

高通650处理器

28nm

双核A72+四核A53

1.8千兆赫

肾上腺素510

2015年底

高通626处理器

14nm LPP1

八核A53

2.2千兆赫

肾上腺素506

2016年第4季度

高通625处理器

14nm

八核A53

2.0千兆赫

肾上腺素506

2016年2月11日

高通617处理器

28纳米低压

八核A53

1.5千兆赫

肾上腺素405

2015年第4季度

高通616处理器

28纳米低压

四核A53

1.7 1.2千兆赫

肾上腺素405

2015年第三季度

高通610处理器

28纳米低压

四核A53

1.7千兆赫

肾上腺素405

2014年第三季度

高通602A处理器

28nm

四核Krait 300

1.5千兆赫

肾上腺素320图形处理器

2014

高通600处理器

28纳米低压

四核Krait 300

1.7千兆赫

肾上腺素320 400兆赫

Q1 2013

高通450处理器

14nm

八核A53

1.8千兆赫

肾上腺素506

2017年第三季度

高通439处理器

12nm FinFET

四核A53四核A53

1.95 1.45千兆赫

肾上腺素505

Q2，2018年

高通429处理器

12nm FinFET

四核A53

1.95根据

肾上腺素504

Q2，2018年

高通410处理器

28纳米低压

四核A53

1.2千兆赫

肾上腺素306

2014年上半年

高通435处理器

28纳米低压

八核A53

1.4千兆赫

肾上腺素505

2016年第4季度

高通400处理器

28纳米低压

双核Krait 200/300

1.2/1.4/1.7千兆赫

肾上腺素305

高通430处理器

28纳米低压

八核A53

1.2千兆赫

肾上腺素505

Q2 2016

高通425处理器

28纳米低压

四核A53

1.4千兆赫

肾上腺素308

高通415处理器

28纳米低压

八核A53

1.4千兆赫

肾上腺素405

2015年第4季度

高通412处理器

28纳米低压

四核A53

1.4千兆赫

肾上腺素306

2015年下半年

高通210处理器

28纳米低压

四核A7

1.1千兆赫

肾上腺素304

2014年

高通200处理器

28纳米低压

四核A7

1.2千兆赫

肾上腺素302 400兆赫

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